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一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子

申请号：2014103166009 申请公布号： CN104134849B
申请日： 2014-07-06 申请公布日： 2016-08-24
申请（专利权）人：广东高航知识产权运营有限公司 专利代理机构： 自营(400-008-2859)
分类号：H01Q1/36

专利介绍

本发明公开了一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子；通过优良的结构设计，创造性的将半导体运用到振子片上，将半导体结构与振子结合，通过不断的实验，设计长方形的金属振子片以及外围设有半导体圈，以及金属振子片上的结构设计，其辐射信号流在金属振子片流向长度和速度都得到较大改善，通过大量计算机软件的仿真得出其具有工作频带达到了3000MHz，完全满足4G对频率要求标准，相对带宽达到65.9%，且其具有良好的增益、前后比、交叉极化比特性。

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一种带收敛缺口的高增益半导体单极化振子

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